11月15日，國家知識產(chǎn)權(quán)局披露，華為公開了硅基負(fù)極材料的專利，名稱為《硅基負(fù)極材料及其制備方法、電池和終端》。該專利主要解決了硅基材料因膨脹效應(yīng)過大導(dǎo)致電池循環(huán)性能低的問題，提高負(fù)極的循環(huán)穩(wěn)定性。
專利顯示，采用該發(fā)明實(shí)施硅基負(fù)極材料制備的電池相對現(xiàn)有傳統(tǒng)硅氧/碳復(fù)合負(fù)極材料制備的電池，其循環(huán)性能得到明顯提升，充滿電狀態(tài)時電極片的膨脹率明顯降低，循環(huán)600次后電芯的膨脹率明顯降低。
此外，高硅氧比硅基顆粒表面導(dǎo)電層的設(shè)置可以提高高硅氧比硅基顆粒的電導(dǎo)率，提高含硅基體和硅基顆粒兩種不同硅氧比結(jié)構(gòu)間的界面電導(dǎo)率；同時可以在高硅氧比硅基顆粒表面形成限制層，有效降低脫嵌鋰造成的體積膨脹。
專利顯示，采用該發(fā)明實(shí)施硅基負(fù)極材料制備的電池相對現(xiàn)有傳統(tǒng)硅氧/碳復(fù)合負(fù)極材料制備的電池，其循環(huán)性能得到明顯提升，充滿電狀態(tài)時電極片的膨脹率明顯降低，循環(huán)600次后電芯的膨脹率明顯降低。
此外，高硅氧比硅基顆粒表面導(dǎo)電層的設(shè)置可以提高高硅氧比硅基顆粒的電導(dǎo)率，提高含硅基體和硅基顆粒兩種不同硅氧比結(jié)構(gòu)間的界面電導(dǎo)率；同時可以在高硅氧比硅基顆粒表面形成限制層，有效降低脫嵌鋰造成的體積膨脹。
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